Установки для быстрой термической обработки

Установка для быстрой термической обработки позволяет осуществлять воздействие на полупроводниковую пластину быстроменяющейся температурой. Максимальная температура составляет 1250°C (погрешность ±2°C), при этом скорость разогрева камеры превышает 50°C /с. Высоковакуумная система отжига осуществляет нагрев камеры до 1200°C, при этом в камере поддерживается высокий вакуум с давлением менее 1*10-8 мм рт. ст.

Продукты

Установка быстрой термической обработки e1200

  • Размер образца – один чип на дюйм.
  • Температурный диапазон: до 1250 градусов Цельсия.
  • Скорость разогрева более 50 градусов Цельсия/секунду.
  • Температуростойкость +/ — 2 градуса Цельсия.
  • Технологический газ: измерительные приборы х2.
  • Тепловой источник: Киловаттные галогеновые лампы х8.
  • Датчик температуры: Хром-алюминиевая термопара.
  • Защита от перегрева: более 70 градусов Цельсия.
  • Ручная загрузка выгрузка.
  • Размеры: 550х450х300мм (ШхГхВ)

Высоковакуумная система отжига UAS-1200

  • Главная камера:
  • Давление – более 1*10-8 мм рт. ст.
  • Температура до 1200 градуса Цельсия
  • Равномерность распределения температуры менее 5%
  • Загрузочная замыкаемая камера:
  • Давление – более 1*10-6 мм рт. ст.
  • Температура до 400 градуса Цельсия
  • Насосная система состоит из:
  • Турбонасоса и роторного насоса
  • Полный спектр вакуумметра от атмосферы до 5*10-9 мм рт. ст.
  • Манипулятор