Установки для склеивания и горячего теснения

Данные установки позволяют соединять (склеивать) различными способами полупроводниковые пластины, предварительно совмещенные на установке совмещения. Склеивание производится с использованием метода анодного соединения (максимальная сила сжатия до 3,5 кН, максимальная температура до 450°C) или термокомпрессионного соединения (максимальная сила сжатия до 12 кН, максимальная температура до 450°C). Независимые нагреватели сверху и снизу увеличивают точность склеивания. Установка для горячего профилирования HE200 от компании 3-S используется для получения на полупроводниковой пластине рельефа (профилирование поверхности) в виде чередующихся выступов и впадин определённой геометрии. Для создания профиля используется метод тиснения. Наличие вакуумного держателя с функцией нагрева облегчает фиксацию пластины и ускоряет процесс создания профиля.

Продукты

TCB-6

  • Максимальное усилие: 12 кН
  • Максимальная температура нагрева сверху: 450 0С
  • Максимальная температура нагрева снизу: 450 0С
  • Максимальный размер используемых образцов: 150 мм

WAB-4

  • Максимальное усилие: 3.5 кН
  • Максимальная температура нагрева сверху/снизу: 450 0С
  • Диапазон напряжений: 0 – 2 кВ, Максимальный ток 50 мА
  • Максимальная нагрузка: 1 пара/запуск
  • Градиент изменения температуры: 10-20 0С/мин
  • Производительность: 1-1.5 пара/час

HE200

  • Вакуумный зажим
  • Горячая плоскость
  • Держатель для пластин